现阶段，在半导体制造上，要完全避开美国的半导体设备难于登天。根据vlsiresearch的统计数据显示，2018年全球半导体设备系统及服务销售额为811亿美元，前五大设备厂商当中，美国就占了两家，其中美国应用材料公司以17．27％市场份额排名第一，美国泛林半导体以13．4％的市场份额排名第四。两家合计占了全球31．12％的市场份额。
光刻机是生产芯片的核心设备，高精度的ic芯片光刻机长期由asml、尼康和佳能三大巨头垄断，几乎占据了全球99％的光刻机市场份额。近三年，尼康和佳能在高端光刻机市场的优势日益减弱，asml光刻机占据了全球80％的市场份额，市场地位极其稳固。asml所生产的光刻机的核心部件——光源和计量设备分别来自美国企业cymer、keysight。
国内唯一一家研发、生产以及销售高端光刻机的企业是上海微电子装备（集团）股份有限公司。上海微电子能实现量产、性能最好的光刻机是90nm光刻机，正在攻克45nm的工艺技术，而asml公司的光刻机已经在向7nm、5nm迈进，与全球巨头相比，其在制程上的差距非常大。
《瓦森纳协定》限制光刻机对华出口
此外，中国想购买光刻机也并不容易。1996年，以美国为首的33个国西方国家签署了《瓦森纳协定》，又称＂瓦森纳安排机制＂，限制了成员国的高精尖技术和产品向中国出口。asml研发的最新光刻机之一，nxt2000i，是进行7nm乃至于未来5nm制程的最佳利器，单台售价达到上亿美元。但国内迟迟买不到，就是受到荷兰在设备、技术出口管制方面的限制。
因为受《瓦森纳协定》的影响，国内芯片生产企业一直发展得很艰难，无法获取到最先进的光刻机设备。没有先进的光刻机设备，就无法与ic设计厂商、晶圆体代工厂直接进行技术交流、改进工艺，无法形成一条完整的产业链，拥有完整的半导体生态。
美国等西方国家对华出口管制，使得中国半导体设备制造业同国际先进水平还有2－3代的差距，落后国际先进水平10年左右。半导体产业的问题，只是中国参与全球生产体系时，由于以美国为首的西方国家对华出口管制而出现困境的一个缩影。在计算机、航天、芯片研究与制造等诸多产业同样面临这样的问题。
台积电、中芯国际两大代工厂各有其难
刚开始，美方制定了“对在其境外生产、使用其技术原产值占比高于25％的产品，限制向华为出口”的规定，对华为芯片的最大代工厂－－－－台积电并没有影响，因为其生产过程中使用到美方相关技术低于25％。在传言比例降低至10％时，还有人在暗自庆幸，台积电在7nm、5nm的工艺上，源于美国的技术占比要低于10％，不存在被“断供”的风险。而现在新规执行后，台积电或将无法为华为生产。
中芯国际是华为在大陆最大的芯片代工厂，也是国内企业中，唯一能够提供14纳米制程的晶圆代工企业。华为已经将14nm芯片的生产由台积电转移给中芯国际，但华为还有大量的5nm、7nm的手机芯片或5g基带芯片需求，中芯国际还实现不了7nm芯片的制程工艺。与台积电、三星等国际大型企业的实力相比，中芯国际仍存在明显的技术差距。
一旦无法在台积电下单，而中芯国际技术和产能爬坡仍需一定时间，则华为大量自研的芯片将无法实现量产和应用，因此成为本次美国制裁政策的切入点。
华为供应链国产替代非常紧迫
美国对华为芯片限制升级，将加速半导体软件、设备和材料的国产化。因此有人认为，华为供应链国产替代是国内半导体产业链十年难得的大机遇。目前来看，国内企业是否有能力接住这个天降而来的机遇才是关键问题。
就目前来看，华为供应链完全实现国产替代非常难。过去一年，华为在ic设计端已基本实现自研替代或非美供应商切换，但在制造端仍高度依赖台积电，且上游半导体设备、eda软件仍被美国厂商垄断。
在eda软件方面，目前ic设计的eda工具仍基本由cadence、synopsys、mentor三家美国公司垄断，并且三家的ip各有所长，一线芯片设计企业一般都三家的软件一起用，短期内难以完全替代。
在半导体设备方面，目前国内在刻蚀机、pvd、cvd、清洗机、氧化／退火设备等方面已经可以进行一些国产替代，但在在沉积、刻蚀、离子注入、cmp、清洗、检测等关键工艺方面，应用材料、泛林集团和kla三大美国半导体设备制造商控制着全球约40％的市场，短期内难以完全避开美国半导体设备。
以光刻机来说，其研发的技术门槛和资金门槛非常高，正是因为如此，能生产高端光刻机的厂商非常少。目前，最先进的7－14nm光刻机仅剩下asml能生产，日本佳能和尼康早已经基本放弃euv光刻机的研发。仅是研发的费用就耗资巨大。asml在研发7nm制程芯片的光刻机时就因投入过大一度想放弃。
制程工艺上，台积电在2018年最早实现了7nm 制程的突破并量产，台积电计划于2020年投产5nm技术，而2022年投产3nm技术。紧随其后的是三星，在台积电之后也成功实现了7nm 制程的量产，目前，留给中国企业的时间并不多。
中芯国际定制的那台7nm紫外光刻机迟迟未到，目前正研发”n＋1“工艺”来达到7nm的技术标准，该芯片将会在今年的年底投入量产使用。
